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日本制造出只有一个原子厚的硅薄膜
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摘要
日本北陆尖端科学技术大学院大学30日宣布,其研究小组开发出能制作大面积硅薄膜"silicene"的技术。这种只有一个原子厚的薄膜,可具备半导体的性质,有望用于制造高速电子线路等。研究小组在1厘米长、1厘米宽的硅基板表面,覆盖上陶瓷薄膜,然后在特殊真空装置中将其加热到900摄氏度。于是。
作者
赵佶
出处
《半导体信息》
2012年第3期23-23,共1页
Semiconductor Information
关键词
硅薄膜
陶瓷薄膜
高速电子
尖端科学技术
北陆
硅元素
基板
真空装置
小组开发
石墨烯
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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