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科锐推出S波段GaN器件,实现雷达应用的效率最大化
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1
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摘要
全新60 W GaN HEMT Psat晶体管帮助降低军用和民用雷达系统对于高功率放大器尺寸、重量以及散热的要求。2012年7月9日,科锐公司宣布推出可适用于军用和商用S波段雷达中的高效GaN HEMT晶体管。新型S波段GaN HEMT晶体管的额定功率为60W,频率为3.1至3.5 GHz之间,与传统Si或GaAs MESFET器件相比。
作者
吴琪乐
出处
《半导体信息》
2012年第5期17-17,共1页
Semiconductor Information
关键词
S波段GaN器件
MESFET
高功率放大器
效率最大化
雷达系统
雷达应用
漏极
微波集成电路
单片式
信号保真度
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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半导体信息
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