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Ⅲ-Ⅴ族激光器在硅片上实现直接集成

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摘要蒙彼利埃和CNRS(法国)大学的研究人员已经实现了硅衬底上直接外延一体化的一个Ⅲ-Ⅴ半导体激光二极管。该二极管由D’ELECTRONIQUEDUSUD研究所(IES)nanoMIR组制造,在30v的温度上,工作在连续波(CW)模式,在2微米波长时,其发射功率是几毫瓦。

作者吴琪乐

出处《半导体信息》 2012年第5期21-22,共2页 Semiconductor Information

关键词毫瓦连续波发射功率硅衬底蒙彼利埃发光二极管输出功率光电集成电路激光二极管光电探测器

分类号 TN248 [电子电信—物理电子学]

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