日本东北大学开发出导通截止比为1万的石墨烯FET

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摘要日本东北大学宣布,其研究人员开发出了沟道层使用新型碳材料——石墨烯晶体管,导通/截止比达到104以上。石墨烯一般没有带隙,因此即使制成晶体管也无法关闭,导通/截止比非常小。东北大学通过此次的技术开发解决了这一课题,而且还可实现超过当前硅半导体技术的晶体管高集成化。详细介绍该技术的论文已刊登在2012年9月9日发行的学术杂志《NatureNanotechnology》

作者赵佶

出处《半导体信息》 2012年第5期30-31,共2页 Semiconductor Information

关键词石墨烯 FET 日本东北大学纳米带学术杂志硅半导体高集成化 INSULATOR 新型碳材料技术开发

分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]

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