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Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET
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摘要
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出业界首款采用3.3 mm×3.3mm封装以实现在4.5 V栅极驱动下4.8 mΩ最大导通电阻的20 V P沟道MOSFET—Si7655DN。
作者
赵佶
出处
《半导体信息》
2012年第6期9-9,共1页
Semiconductor Information
关键词
V
P沟道MOSFET
VISHAY
导通电阻
栅极驱动
首款
负载开关
蜂窝电话
电池运行
充电电路
移动计算设备
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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半导体信息
2012年 第6期
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