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Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET

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摘要 日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出业界首款采用3.3 mm×3.3mm封装以实现在4.5 V栅极驱动下4.8 mΩ最大导通电阻的20 V P沟道MOSFET—Si7655DN。
作者 赵佶
出处 《半导体信息》 2012年第6期9-9,共1页 Semiconductor Information
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