Ⅱ族氧化物半导体光电子器件的基础研究

项目通过氧化锌晶体基片研制、Ⅱ族氧化物半导体外延薄膜的表面界面工程、外延生长与极化效应研究、杂质调控、以及新型激光微腔设计，最终实现基于Ⅱ族氧化物半导体的低阈值激光器件和紫外光电探测器件。项目已经能够生长出50mm直径ZnO单晶基片，位错密度低于450／cm^2，Li、K等杂质比水热法商品基片低一个数量级以上。