基于噪声抵消技术的低噪声放大器的设计

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摘要本文采用SMIC0.18um CMOS射频工艺设计了基于噪声抵消技术的低噪声放大器(LNA),并通过仿真验证。仿真结果显示,该低噪声放大器具有良好的噪声性能特性,噪声最低小于1.5d B在宽频带内整体噪声小于5d B,以及良好的S参数,S21最高增益大于20d B,S11和S22都小于-10d B,适合通信技术要求。

作者荣华刚徐兰李燕楠

机构地区重庆邮电大学光电工程学院

出处《数字技术与应用》 2015年第11期166-166,共1页 Digital Technology & Application

关键词噪声抵消低噪声放大器 CMOS射频

分类号 TN722.3 [电子电信—电路与系统]

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