MOSFET探测器在放射治疗体剂量监测中的应用进展
摘要
放射治疗技术的发展，带来了高精度、高剂量、高疗效和低损伤的治疗效果，但同时也存在可能的人为或系统误差造成的危险。为确保临床放射治疗安全的执行，综合的剂量验证是非常必要的。在体剂量学方法（IYD）是目前最直接、有效的质量保证手段之一。IVD所用的探测器有热释光、二极管、辐射自显影胶片和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等。相对于其他探测器，MOSFET因其体积小、实时读数、操作简单等特性，被认为是较好的放疗IVD工具。
出处
《中华放射医学与防护杂志》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期876-880,共5页
Chinese Journal of Radiological Medicine and Protection
基金
国家自然科学基金（81472807）
国家自然科学基金青年科学基金（81101697）
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