ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

作为第3代新型宽禁带Ⅱ-Ⅵ化合物短波长半导体材料的氧化锌（ZnO），具有3．37eV的禁带宽度和较小的波尔半径（1．8nm）以及高达60meV的激子束缚能，可以使ZnO在室温下实现有效的激子发射，在制备蓝光或紫外光等光电器件上比氮化镓（GaN）更有优势，展现出更广阔的应用前景。ZnO具有极高的C轴择优取向，本征ZnO具有极的高电阻，使它具有良好的压电常数与机电耦合系数，可应用于压电、声光等器件。