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GaAs红外发光管的退化规律和机理
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摘要
本文讨论了 GaAs 红外发光二极管加速退化试验结果。观察到四种类型的退化方式,讨论了描述退化过程的数学表达式。器件的退化是由于暗线和暗点缺陷的产生。
作者
于瑞祥
出处
《半导体光电》
CAS
1980年第1期18-23,17,共7页
Semiconductor Optoelectronics
关键词
红外发光二极管
数学表达式
器件
工艺结构
光功率
四种类型
退化过程
氮化硅
四氮化三硅
氮化物
反向击穿
GAAS
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
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被引量:5
半导体光电
1980年 第1期
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