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原子吸收分光光度法测定GaAs中痕量Cu(DDTC-甲基异丁酮萃取法)
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摘要
本法测定样品为掺 Si 的 GaAs(其杂质浓度为5×1017~1×1018/cm3)里的痕量 Cu。在 PH ≈8.5时加入 EDTA—柠檬酸铵掩蔽下,1g~0.5g 的 Ga~As 的机体及其它离子均无干扰测定,其测定 Cu 最低含量为:1PPb~150PPb,(重量比)即为1014~1016/cm3浓度的 Cu 操作简便,适用于半导体中杂质分析。
作者
赵庆添
出处
《半导体光电》
CAS
1980年第1期70-73,共4页
Semiconductor Optoelectronics
关键词
DDTC
甲基异丁酮
痕量
GAAS
CU
分类号
O65 [理学—分析化学]
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