原子吸收分光光度法测定GaAs中痕量Cu(DDTC-甲基异丁酮萃取法)

本法测定样品为掺 Si 的 GaAs(其杂质浓度为5×1017～1×1018/cm3)里的痕量 Cu。在 PH ≈8.5时加入 EDTA—柠檬酸铵掩蔽下,1g～0.5g 的 Ga～As 的机体及其它离子均无干扰测定,其测定 Cu 最低含量为:1PPb～150PPb,（重量比）即为1014～1016/cm3浓度的 Cu 操作简便,适用于半导体中杂质分析。