低噪声沟道注入硅雪崩光电二级管

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摘要据J·Appl.Phys.1978年49卷12期报导,日本富f士通研究所研制成功一种新式硅雪崩光电二极管,其结构为 n^+—P—π—P^+,衬底采用<110>晶向的π/P^+外延片。通过硼离子沟道注入(800千电子伏),形成 P 层,经浅磷扩散0.3μm 构成 n^+层。其结构以及与随机注入的器件之特性比较示意图中。

出处《半导体光电》 CAS 1980年第1期98-98,共1页 Semiconductor Optoelectronics

关键词沟道低噪声雪崩二级管

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]

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半导体光电

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