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V形槽的腐蚀及其应用 被引量:2

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摘要 本文简要地回顾了腐蚀V形槽的几种方法。并以联氨(N_2H_4)腐蚀V形槽工艺为主,结合半导体硅的结构报告了腐蚀方法,及达到最佳化的条件。并指出了此工艺的应用。
机构地区 辽宁大学物理系
出处 《半导体技术》 CAS 1981年第4期19-24,共6页 Semiconductor Technology
  • 相关文献

同被引文献3

  • 1赵永飞,谢行恕,雷新亚.合肥同步辐射扫描软X射线显微镜[J].中国科学技术大学学报,1994,24(1):51-54. 被引量:3
  • 2吴宪平,鲍敏杭.论硅的各向异性腐蚀[J]传感器技术,1987(01).
  • 3潘长海.体系减压化学汽相淀积氮化硅薄膜的工艺研究[J]半导体技术,1983(04).

引证文献2

二级引证文献5

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