一种由于集电区背面接触不良引起的直流正偏二次击穿现象

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摘要本文以3DD200硅低频大功率晶体管为例,对由于芯片背面接触不良而引起直流正偏二次击穿的物理过程进行了分析.提出了在生产中用测量晶体管△V_(EB)对收集区背面进行监控的方法,并把所得结果与QD-2晶体管直流正偏二次击穿测试仪所测的结果进行了比较.结果证明:只要测试条件选择适当,二者有很好的对应关系,并提供了改善收集区背面接触的实验结果.

作者王正贤

机构地区上海无线电

出处《半导体技术》 CAS 1985年第2期1-5,共5页 Semiconductor Technology

关键词二次击穿正偏物理过程芯片集电区大功率晶体管接触不良

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]

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