氧化多孔硅隔离技术研究

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摘要我们对多孔硅氧化隔离技术进行了初步的实验研究.用SEM对PSL进行了观测.针对所出现的沟道漏电现象,采用了在热氧化之前于N_2中热处理的消除漏电方法.对OPS隔离性能的测量结果表明,与常规PN结隔离相比,击穿电压有了很大提高,漏电流也降低了一个数量级.

作者陈南翔刘佑宝

机构地区北京师范大学陕西骊山微电子公司

出处《半导体技术》 CAS 1987年第3期1-5,共5页 Semiconductor Technology

关键词热氧化 SEM 氧化隔离介质隔离多孔硅 PSL 高温过程击穿电压阳极反应圈圈圈反应时间

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半导体技术

1987年第3期

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