三探针法测量硅外延材料电阻率的局限性

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摘要近来发现某些管芯失效的原因之一,是由于三探针击穿电压法给出的外延层电阴率数据与实际外延层电阻率数据不符而造成的.对此问题,我们利用美国SSM公司的ASR-100c/z自动扩展电阻探针对三探针测量过的外延材料进行了对比测量.分析讨论了三探针法的测量局限性.特别就大家容易忽视的“穿通”现象进行了讨论,同时亦介绍了采用扩展电阻法测试硅外延材料电阻率分布的优越性.

作者杨丽卿

出处《半导体技术》 CAS 1987年第3期38-40,55,共4页 Semiconductor Technology

关键词电阻率电阻系数高阻外延材料硅外延

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

1987年第3期

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