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改革硅平面晶体管常规工艺的研究

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摘要选用超高频小功率晶体管3DG15做工艺研究实验.实验的方法、结果及其分析如下.一、实验方法及结果1.基区低温氧化及硼扩散采用N/N^+型硅外延片:外延层厚度d外=9μ,电阻率ρ外=0.3～0.5Ω·cm,层错密度N层≤300个/cm^2.取Ⅰ、Ⅱ两批片,Ⅰ批片按常规工艺条件氧化。

作者唐敏

机构地区华南工学院

出处《半导体技术》 CAS 1987年第3期53-55,共3页 Semiconductor Technology

关键词常规工艺晶体管半导体三极管诱生工艺条通源

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]

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1987年第3期

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