LPCVD-Si_3N_4在铝下钝化工艺中的应用

由于Si3N4薄膜具有结构致密,介电强度高,介电常数大、化学性能稳定等优点,因此Si3N4薄膜在大规模集成电路制造工艺中具有很重要的用途,它在局部氧化工艺中作为场氧化掩膜,在高温下能掩蔽B、Al、As、O等杂质扩散,能有效地防止N+、K+等离子的沾污,更是它突出的优点。