硅栅金属-氧化物-硅集成电路中寄生厚介质场传导机构的抑制

在硅栅金属-氧化物-硅(以下简称“MOS”)集成电路中,由于增加了多晶硅互连层,因而用接地的多晶硅区作为衬底和金属间的静电屏蔽,以消除在电路中某些临界点处的寄生厚介质场晶体管作用在实际上是可能的。