硫离子注入制备N型砷化镓薄层

本文讨论了用S^+注入掺铬的半绝缘砷化镓衬底以制备N型砷化镓薄层。目的是代替微波低噪声砷化镓肖特基势垒场效应管(SBF-ET)所需的砷化镓薄外延层。注入条件:能量100千电子伏,剂量1.5×10^(13)/厘米~2,退火温度为825℃,退火时间15分钟。已经做出0.2～0.3微米厚的N型薄层,平均载流子浓度为5×10^(16)～1×10^(17)/厘米~3。载流子迁移率在2600～3400厘米~2/伏·秒的范围。薄层厚度和载流子浓度的均匀性是好的。采用双注入即注入S^+之后,再注入P^+可以改善注入层的电特性。利用S^+注入制备的N型砷化镓薄层,已制出肖特基势垒场效应晶体管,其跨导和夹断电压可与气相外延薄层制备的肖特基势垒场效应晶体管相比拟。