亚毫米波段硅p^+-p-n^+型崩越二极管

以硅崩越二极管的高频化为目的,利用载流子扩散效应这一点,作出了有利的空穴漂移型二极管。二极管的杂质分布为p^+-p-n^+型结构,它是在n^-硅上用离子注入及热扩散形成n^+外延层。p^+-p-n^+型结构在衬底的一面具有p-n结,比起从前的n^+-p-p^+型来说,在高频段有减小特别成问题的串联电阻的优点。二极管减薄到5～10微米,减小了串联电阻。这种p^+-p-n^+二极管观测到从70千兆赫到400千兆赫左右的带宽的连续振荡。具有代表性的特性是在187千兆赫下输出82毫瓦、效率2.5％和在285千兆赫下输出7.5毫瓦等。到现在为止得到的最高振荡频率为394千兆赫。