摘要
最近日本东工大成功地制备了1.62微米波长的 InGaAsP/InP 隐埋异质结激光器。器件的条宽3～5微米,腔长310～330微米,最低的室温脉冲阈值电流为25毫安,室温连续波阈值为37毫安,三倍阈值以上获得单横模工作。器件的工艺步骤是:在含有防回熔层的双异质结片子上用化学汽相淀积法形成 SiO2膜,并用普通的光刻技术形成沿（110）方向的5～8微米宽的条,接着用 Br-CH3OH 腐蚀2微米深,然后用4HCl-H2O 溶液在0～1℃下选择腐蚀2分钟以去除 InP
出处
《微纳电子技术》
1980年第6期19-19,共1页
Micronanoelectronic Technology
