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InGaAsP/InP双异质结激光器相对折射率差和能量限制因子的测量
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摘要
测量了激射波长为1.1微米的 InGaAsP/InP 双异质结激光器的远场分布图。用图解法计算了有源层的折射率、有源层与限制层的相对折射率差和能量限制因子。测量结果与一些作者的报道相符合。用测量结果对有源层内的吸收耗损进行了估算,发现目前制作的激光器中的吸收耗损较大。
作者
刘春良
陈季文
魏全生
出处
《微纳电子技术》
1980年第6期31-37,共7页
Micronanoelectronic Technology
关键词
有源层
厚度
测量结果
折射率差
激光器
光激射器
电子器件
限制因子
相对折射率
相对屈光指数
远场分布
INP
分类号
TN2 [电子电信—物理电子学]
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微纳电子技术
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