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富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件
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摘要
富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓(GaN)功率器件的服务器电源单元成功实现2.5 kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。与传统硅基功率器件相比。
作者
吴琪乐
出处
《半导体信息》
2013年第1期23-24,共2页
Semiconductor Information
关键词
氮化镓
器件技术
导通电阻
增值应用
基板
基功
硅晶圆
单元电路
转换效率
FUJITSU
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
F426.63 [经济管理—产业经济]
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