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半导体材料掀革命10nm制程改用锗/Ⅲ-V元素

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摘要 半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的硅材料,在迈入10 nm技术节点后,将面临物理极限,使制程微缩效益降低,因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中,锗(Ge)和三五族(Ⅲ-Ⅴ)
作者 赵佶
出处 《半导体信息》 2013年第2期4-5,共2页 Semiconductor Information
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