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半导体材料掀革命10nm制程改用锗/Ⅲ-V元素
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摘要
半导体材料即将改朝换代。晶圆磊晶层(EpitaxyLayer)普遍采用的硅材料,在迈入10 nm技术节点后,将面临物理极限,使制程微缩效益降低,因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中,锗(Ge)和三五族(Ⅲ-Ⅴ)
作者
赵佶
出处
《半导体信息》
2013年第2期4-5,共2页
Semiconductor Information
关键词
半导体材料
V元素
NM
物理极限
技术节点
半导体科技
晶层
明日之星
摩尔定律
应用材料
分类号
F426.63 [经济管理—产业经济]
TN304 [电子电信—物理电子学]
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半导体信息
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