日本九州工大:用新型微细构造将IGBT电流密度提高一倍

硅(Si)功率元件虽然价格便宜,但性能方面的上升潜力比以前要小了。其中,在600V以上耐压下使用的IGBT,其性能的改善和提高量产性开始遭遇极限。在性能方面逐渐触顶的方面是如何降低导通电阻和提高电流密度。量产性方面,也难以采用直径超过8英寸的硅基板。