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GeneSiC开发出耐压10 kV的SiC BJT

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摘要 GeneSiCSemicondutor公司开发出了耐压高达10kV左右的SiC双极晶体管(BJT),并在功率半导体国际会议"ISPSD201"(2013年5月26～30日在日本石川县金泽市举行,由日本电气学会主办)上发表了演讲。

作者赵佶

出处《半导体信息》 2013年第3期9-10,共2页 Semiconductor Information

关键词双极晶体管功率半导体金泽 GeneSiC SIC BJT kV 石川日本电气导通电阻开关损

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

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2013年第3期

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