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新式锗材料可望取代硅

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摘要美国俄亥俄州立大学(Ohio State University)的研究人员们发明出一种以原子薄层沉积锗材料的新方法,据称可生长出较硅更高10倍性能的新式锗材料,并可望成为较其它下一代材料(如石墨烯)更易于制造的替代方案。俄亥俄州立大学教授Joshua Goldberger表示:"

作者郑冬冬

出处《半导体信息》 2013年第3期21-22,共2页 Semiconductor Information

关键词石墨烯俄亥俄州立大学 JOSHUA 替代方案光电元件能隙半导体制造氢化锗电子特性感测

分类号 TN304.11 [电子电信—物理电子学]

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