应用材料公司新NMOS高性能晶体管创新外延技术

新的NMOS(N型金属氧化物半导体)外延沉积工艺对下一代移动处理器芯片内更快的晶体管至关重要应用材料公司在Applied Centura RP Epi系统设备上新开发了一套NMOS晶体管应用技术,继续保持其在外延技术方面十年来的领先地位。该应用技术的开发符合行业在20纳米节点时将外延沉积从PMOS(P型金属氧化物半导体)向NMOS(N型金属氧化物半导体)晶体管延伸的趋势,推动芯片制造商打造出更快的终端,提供下一代移动计算能力。NMOS外延可将晶体管速度提高半个器件节点,同时不增加关闭状态下的功耗"外延是高性能晶体管的基本组成部分。