摘要
2006年,美国加州大学(UCSB)和Intel公司的研究人员推出了世界上第一个电泵浦混合硅激光器。该器件利用了III-V族半导体的发光特性,并运用成熟的CMOS工艺在硅晶圆上制作激光器,从而为制造廉价的量产型硅制光学器件开启了大门。7年的时间很快就过去了,许多人都认为:混合硅光子技术革命如今已经的的确确是万事俱备了。业界开发出了各种各样的混合器件,从激光源和光学放大器到高速调制器、波导和偏振组件,等等,不一而足。
出处
《半导体信息》
2013年第5期18-19,共2页
Semiconductor Information
