我国首次制备大规模石墨烯 助推半导体工业

据从中科院上海微系统所获悉,该所信息功能材料国家重点实验室SOI课题组与超导课题组,采用化学气相淀积法,在锗衬底上直接制备出大面积、均匀的、高质量单层石墨烯。相关成果日前发表于《自然》杂志子刊《科学报告》。石墨烯在机械、电学、光学和化学方面的优异性能,使其具有巨大的应用前景。目前,化学气相沉积法是制备高质量、大面积石墨烯的最主要途径。但是,在石墨烯的生长过程中,金属基底是必不可少的催化剂。