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朝着“三维”迈进的半导体技术

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摘要 最近,"三维"一词在半导体领域出现得十分频繁。比如,英特尔采用22 nm工艺制造的采用立体通道结构的"三维晶体管"、8月份三星电子宣布量产的"三维NAND闪存",以及利用TSV(硅通孔)来层叠并连接半导体芯片的"三维LSI"等。在半导体领域,原来的二维微细化(定标,Scaling)已逐步接近极限。
作者 郑畅
出处 《半导体信息》 2013年第5期27-28,共2页 Semiconductor Information
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