SiC功率半导体元件的沟道MOSFET即将实用化

高品质的150 mm口径SiC基板已经实现。我们将利用这种基板,在2015年投产‘沟道型’SiC MOSFET。在2013年10月举办的"CEATECJAPAN2013"上,电装展示了SiC的相关技术。其中包括了两大"惊喜"。