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SiC功率半导体元件的沟道MOSFET即将实用化
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摘要
高品质的150 mm口径SiC基板已经实现。我们将利用这种基板,在2015年投产‘沟道型’SiC MOSFET。在2013年10月举办的"CEATECJAPAN2013"上,电装展示了SiC的相关技术。其中包括了两大"惊喜"。
作者
赵佶
出处
《半导体信息》
2013年第6期5-7,共3页
Semiconductor Information
关键词
SIC
半导体元件
电装
导通电阻
基板
相关技术
外延层
漏极
平面型
低电容
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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