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飞兆半导体开发全新中压MOSFET
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摘要
2014年2月13日—许多终端应用,比如IP电话、电机控制电路、有源钳位开关和负载开关—需要以更小的尺寸提供更高的能效,以便满足制造商的要求。飞兆半导体开发了FDMC86xxxP系列P沟道PowerTrenchMOSFET,在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。
作者
赵佶
出处
《半导体信息》
2014年第1期5-6,共2页
Semiconductor Information
关键词
飞兆半导体
开关速度
负载开关
终端应用
钳位
开关性能
导通电阻
开关损耗
控制电路
导通损耗
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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