Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET

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摘要 Vishay Intertechnology宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET—Si7157DP,扩充其TrenchFETP沟道GenIII功率MOSFET。VishaySiliconixSi7157DP在-10V和-4.5V电压下的导通电阻分别低至0.0016Ω和0.0020Ω,可提高移动电子设备的效率。

作者赵佶

出处《半导体信息》 2014年第1期5-5,共1页 Semiconductor Information

关键词 P沟道MOSFET RDS VISHAY on 导通电阻移动电子设备电源效率欠压锁定占位面积

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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