摘要
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用超小尺寸的热增强PowerPAKSC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率,在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20V(12VVGS和8VVGS)器件中最低的导通电阻,占位面积为2mm×2mm。
出处
《半导体信息》
2014年第2期5-6,共2页
Semiconductor Information