IR推出20 V至30 V的全新StrongIRFET系列

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摘要全球功率半导体和管理方案领导厂商-国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR)扩充StrongIRFET系列,为高性能运算和通信等应用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20 VD irectFET是该系列的重点器件,具有极低的导通电阻 (RDS(on))IRL6283M 采用超薄的30mm2中罐式 DirectFET 封装,导通电阻典型值只有500μΩ,可大幅降低传导损耗,因而非常适合动态 O-

作者季建平

出处《半导体信息》 2014年第2期6-7,共2页 Semiconductor Information

关键词导通电阻高性能功率半导体整流器封装管理方案传导损耗器件系列典型值

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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