安森美推出全新6款N沟道MOSFET

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),它们经过设计及优化,提供领先业界能效,优于市场现有器件。NTMFS4Hxxx及NTTFS4Hxxx系列MOS-FET极适合用作服务器、网络设备及高功率密度DC-DC转换器等多种应用的开关器件,或者用于配合负载点(POL)模块中的同步整流。这些器件提供包含及不包含集成一个肖特基二极管的不同版本,能帮助工程师提供更高能效。