摘要
西班牙Graphenea公司2014年7月25日宣布,与日本立命馆大学等共同实现了GaN结晶在硅(100)面上的生长。其要点在于用石墨烯作为中间层。;该技术的开发方为日本立命馆大学理工学部电子光信息工学科荒木努和名西Ya-sushi的研究室、美国麻省理工学院(MIT)、韩国首尔大学(SeoulNationalUni-versity)、韩国东国大学(DonggukUniversity)及西班牙Graphenea公司。在硅(100)面上直接生长缺陷少的GaN结晶时非常困难,几乎没有成功先例。以前在GaN-on-Si技术方面取得实用化进展的,主要是在硅(111)
出处
《半导体信息》
2014年第4期28-29,共2页
Semiconductor Information
