Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET

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摘要 2014年12月9日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件——SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay SiliconixSiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢复电荷和导通电阻,能够在工业、电信、计算和可再生能源应用中提高可靠性,节约能源。

作者郑畅

出处《半导体信息》 2014年第6期2-3,共2页 Semiconductor Information

关键词 N沟道MOSFET VISHAY 软开关导通电阻恢复电荷可再生能源节约能源零电压开关反向

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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