ST发布全新650V超结MOSFET

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摘要意法半导体最新超结(super-junction)功率MOSFET能满足家电、低能源照明系统以及太阳能微逆变器厂商对电源能效的要求,同时提供更高可靠性的最新且满足高功率密度的封装。MDmesh M2系列产品拥有最新最先进的超结晶体管技术,取得了比上一代产品更低的导通电阻(RDS(ON)),以及更低的栅电荷量(QGD)

作者江安庆

出处《半导体信息》 2014年第6期5-5,共1页 Semiconductor Information

关键词意法半导体导通电阻逆变器照明系统 JUNCTION ST 系列产品功率密度电荷量击穿电压

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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