IR发布全新第八代1200 V IGBT平台

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摘要全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出新一代绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术平台。全新第八代(Gen8)1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装,并采用IR新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。全新的Gen8组件提供从8A到高达60 A的电流额定值,加上1.7

作者江安庆

出处《半导体信息》 2014年第6期20-21,共2页 Semiconductor Information

关键词八代 IR V IGBT 国际整流器节能应用功率半导体行业标准销售副总裁电子产品耐用性

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

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