英飞凌将与松下电器联袂,双双推出常闭型600V GaN功率器件

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摘要英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布,两家公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构,与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下,松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定,两家公司均可生产高性能GaN器件。

作者江安庆

出处《半导体信息》 2015年第2期5-6,共2页 Semiconductor Information

关键词松下电器英飞凌 GAN 常闭式氮化镓强型基板联合开发驱动方案化合物半导体

分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]

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