中航微电子研制成功8英寸600V硅基氮化镓功率器件

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摘要中航(重庆)微电子有限公司近日发布了基于硅基氮化镓(GaN-on-Si)晶片的氮化镓(GaN)MISHEMT功率器件N1BH60010A,这是国内首个8英寸GaN功率器件产品,成功实现了600V耐压及10A输出电流,可广泛用于PFC、DC/DC converter、DC/AC inverter等功率电子系统中,针对当下数码电子设备。

作者江安庆

出处《半导体信息》 2015年第2期6-6,共1页 Semiconductor Information

关键词氮化镓 INVERTER CONVERTER 数码电子寄生电容输出电容输入电容直接带隙导通电阻电子漂移

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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