Vishay推新款20V芯片级MOSFET延长电池工作时间

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摘要日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的TrenchFET 20V N沟道MOSFET—Si8410DB,在可穿戴设备、智能手机、平板电脑和固态驱动器中节省空间,降低功耗,并延长电池使用时间。Vishay Siliconix Si8410DB采用芯片级MICRO FOOT封装,高度只有0.54mm。

作者郑畅

出处《半导体信息》 2015年第2期12-12,共1页 Semiconductor Information

关键词芯片级 VISHAY 电池工作时间电池使用时间导通电阻平板电脑供货周期负载开关塑料封装高速开关

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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6何英.电子专用设备的质量控制[J].电子工艺技术,2011,32(6):364-366.
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