氮化硼表面制备石墨烯单晶获突破

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摘要中科院上海微系统所信息功能材料国家重点实验室唐述杰等研究人员,通过引入气态催化剂的方法,在国际上首次实现石墨烯单晶在六角氮化硼表面的高取向快速生长。3月11日,相关研究论文发表于《自然—通讯》。该团队在前期掌握石墨烯形核控制、确定单晶和衬底的取向关系的基础上,以乙炔为碳源,创新性地引入硅烷作为催化剂,通过化学气相外延的方法,

作者郑畅

出处《半导体信息》 2015年第2期34-34,共1页 Semiconductor Information

关键词石墨烯氮化硼气相外延上海微系统功能材料国家重点实验室电学性能霍尔迁移率催化能力晶畴

分类号 TQ127.11 [化学工程—无机化工]

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