摘要
Cree发布了行业内首个900V碳化硅MOSFET技术。该技术可在高频功率电子领域应用,如可再生能源变频器,电动车辆充电系统,三相工业电源。该900V平台与硅基解决方案成本相近,具有价格竞争力,有助实现更小型更高效的下一代功率转换系统。Cree功率和射频公司的副总裁兼总经理Cengiz Balkas介绍说:"与同类型的硅基MOSFET相比,这项具有突破性的900V平台拓展了我们在终端系统可实现的功率范围,为我们产品带来了全新的市场。我们之前推出的1200V MOSFET较高压IGBT实现了更优异的性能,而现在,我们在900V领域的表现也成功超越了低压超结硅基MOSFET。"
出处
《半导体信息》
2015年第3期3-4,共2页
Semiconductor Information
