摘要
IDT公司和EPC公司近日决定合作,将IDT公司的硅技术和EPC的氮化镓技术结合,携手开发针对通信、计算机基础设施,无线电功率和射频电路领域的新型器件。对于通信基础设施应用来说,氮化镓材料电容较低,QRR值为0,芯片尺寸的封装造成的低电感,使得其在高频条件下工作效率较高。两公司携手合作,期望能够结合IDT公司系统运行的专业经验,以提高功率密度,形成在通信和计算机基础设施领域核心竞争力,保证发展优势。对射频应用,两家公司将会探索合作,针对通信基础设施市场开创一系列射频产品。"氮化镓材料有望实现更高的性能,为客户提供有差异性的产品。"
出处
《半导体信息》
2015年第3期11-12,共2页
Semiconductor Information
