瞄准未来——太赫兹晶体管

基于氮化铟高电子迁移率场效应晶体管实现高速逻辑、混合信号的集成电路显然还有很长的路要走,但研究已经开展起来,目前也取得了一些成果,比如对概念的物理分析。实际操作中也取得了一些突破,如在氮化铟上对氮化镓进行高选择性的刻蚀;在氮化镓/氮化铟上对金属氧化物半导体结构制备工艺;在N极性氮化镓/氮化铟接触面形成负极化电荷。如果研究继续推进,氮化铟高电子迁移率场效应晶体管可能将成为太赫兹领域电路。