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Toyoda Gosei团队在氮化镓领域实现突破
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摘要
日本Toyoda Gosei公司研发总部的研究人员近日在《应用物理快讯》杂志上发表了研究报告,称最新研发出垂直取向的氮化镓基晶体管,其阻断电压超过1kV。这一研究进展对氮化物器件在汽车以及相关领域的应用十分重要。较低的电阻可减少功耗和发热,这一特性吸引了众多研究者将注意力放在氮化镓的纳米电子应用。
作者
科信
出处
《半导体信息》
2015年第5期24-,共1页
Semiconductor Information
关键词
氮化镓
Toyoda
Gosei
纳米电子
阻断电压
应用物理
击穿电压
研究报告
漂移区
电压参数
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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