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Toyoda Gosei团队在氮化镓领域实现突破

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摘要 日本Toyoda Gosei公司研发总部的研究人员近日在《应用物理快讯》杂志上发表了研究报告,称最新研发出垂直取向的氮化镓基晶体管,其阻断电压超过1kV。这一研究进展对氮化物器件在汽车以及相关领域的应用十分重要。较低的电阻可减少功耗和发热,这一特性吸引了众多研究者将注意力放在氮化镓的纳米电子应用。
作者 科信
出处 《半导体信息》 2015年第5期24-,共1页 Semiconductor Information
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